فیلتر نتایج
نتایج 1 تا 10 از مجموع 45
مقاله کنفرانسی
A Low power Full Adder Cell based onCarbon Nanotube FET
نویسندگان: Hamed Tohidi، Mokhtar Ghanatghestani
سال انتشار 1403
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Dual-Channel Indium Nitride Tunnel Field Effect Transistor: A Comprehensive Study on Design, Sensitivity, and Electrical Performance
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله مدلسازی و شبیه سازی در مهندسی برق و الکترونیک شماره 4، دوره 2
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Enhancing High-Performance Computing: A Comprehensive Study on Dual-Doped Source/Drain Reconfigurable Field Effect Transistor
نویسندگان: Z. Ahangari
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله نوآوری های مهندسی برق و کامپیوتر شماره 2، دوره 12
تعداد صفحات: 10 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Design and Simulation of an Efficient Quaternary Full-Adder Based on Carbon Nanotube Field Effect Transistor
نویسندگان: Farzaneh Ahari، Mousa Yousefi، Khalil Monfaredi
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله الکترونیک صنعتی ،کنترل و بهینه سازی شماره 2، دوره 7
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Accurate Analytical Modeling of Drain Current of Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor
نویسندگان: F. Peyravi، S. E. Hosseini
سال انتشار 1403
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 7، دوره 37
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Design and Simulation of Reconfigurable Logic Circuit Based on CNTFET by Implementing Various Logical Functions
نویسندگان: Amir Baghi Rahin، Afshin Kadivarian، Vahid Baghi Rahin
سال انتشار 1402
محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم های هوشمند
تعداد صفحات: 8 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Performance Analysis of a Steep-Slope Bi-channel GaSb-GaAs Extended Source Tunnel Field Effect Transistor with Enhanced Band-to-Band Tunneling Current
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله پژوهش های کاربردی در مهندسی برق شماره 2، دوره 2
تعداد صفحات: 8 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Simulation for a low-energy ternary multiplier cell based on Graphene nanoribbon field-effect transistor
نویسندگان: Zahra Rohani، Azadeh Alsadat Emrani Zarandi
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 1، دوره 15
تعداد صفحات: 14 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
نویسندگان: Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand، Zahra Ahangari، Hamed Nematian
سال انتشار 1401
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 1، دوره 7
تعداد صفحات: 18 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1399
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 5
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
نتایج 1 تا 10 از مجموع 45